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序論
http://www.sissa.it/cm/thesis/2002/cococcioni.pdf
和訳:@dc1394
A LDA+U study of selected iron
compounds 第一章
序論
DFTとL(S)DA・GGA
 DFTは、その理論基礎が確立した1960年代半ば以来、
材料物性の予測に貢献してきた。
 DFTは原則として正確であるが、実際の計算では、い
くつかの近似が用いられている。
 このうち最も簡単な近似であり、局所的な電子系の状
態を一様な密度の電子ガスで表すことができるという
仮定に基づいた近似は、局所(スピン)密度近似
(Local (Spin) Density Approximation, L(S)DA)と呼ばれ
る。
 また、L(S)DAの拡張であり、有効電子相互作用をモデ
リングする過程で、実際の電子系の不均一性を取り
入れた近似は一般化勾配近似(Generalized
Gradient Approximation, GGA)と呼ばれる。
L(S)DA・GGAとその限界
 L(S)DAは金属、共有結合半導体、イオン性固体、
あるいは複雑な二種以上の金属から成る遷移金
属化合物などについて、電子的あるいは磁気的
な基底状態の物性を説明できた。
 また、GGAはL(S)DAの中のいくつかの未解決問題
を解決した。
 しかし、L(S)DAやGGAといった標準のDFTアプロー
チで正確に物性を記述できない系のグループが
あり、それは「強相関電子系」と呼ばれる。
LDA+U
 普通のLDAかGGAがこのグループの材料につい
て説明できない理由は、電子が強く局在する場合
には正確でなくなるような汎関数を用いているか
らである(これは主に均質の電子ガスとして実際
の相互作用電子系を扱っているため)。
 強相関電子系について説明できるアプローチの1
つは、さまざまな異なった汎関数が導入、開発さ
れたLDA+U法である。
 LDA+U法は、計算から有効電子間相互作用を「強
制的に」導くために提案された方法であり、電子
間相互作用のパラメータは実験値を再現するよう
に、半経験的に定める。
この論文の目的
 この論文では、LDA+U法の重要な研究を行う。
 Anisimov他の定式化から始めて、彼らの仕事のさ
らなる改良と、より簡単な近似を開発する。
 目標は、より「自然な」拡張でLDA(GGA)の記述を
修正し、また完成することである。
 V. I. Anisimov, J. Zaanen, O. K. Andersen, Phys. Rev. B 44, 943 (1991).
 V. I. Anisimov, I. V. Solovyev, M. A. Korotin, M. T. Czyzyk, G. A. Sawatzky, Phys. Rev. B 48, 16929 (1993).
 I. V. Solovyev, P. H. Dederichs, V. I. Anisimov, Phys. Rev. B 50, 16861 (1994).
この論文の構成
 この論文は以下の構成になっている。
 第1章は標準のDFTの理論と近似について概観す
る。
 第2章で、GGAによるいくつかの鉄化合物の電子
的、磁気的、そして構造的な物性の計算結果を示
す。
 第3章で、擬ポテンシャルー平面波フレームワー
クへのLDA+U法の導入について議論する。
 第4章では、第2章でGGAを用いて計算した系に
対して、改めてLDA+U法を用いて扱う。
Born-Oppenheimer近似
Born-Oppenheimer近似
 実際の系の電子と核の計算において、一般に第
一原理計算では、電子と核の二つの粒子の質量
の大きな差から、Born-Oppenheimer近似が用いら
れる。
 固体において電子は核よりはるかに軽いので、核
の運動の各位置における基底状態において、電
子が完全に緩和するように、電子配置を考えるこ
とができる。
 これは電子の自由度を研究している間、核を静止
していると考えることができることを意味する。
Born-Oppenheimer近似
 従って、系の波動関数は近似的に、核と、核位置
上のパラメータのみに依存する電子に対する関
数の積として以下の式で得られる。
 ここで、R={ RI }はすべての核座標のセットであり、
r={ ri }はすべての電子座標のセットである。
 また、多粒子波動関数ψR(r)は電子スピンの自由
度にも依存する。
Born-Oppenheimerエネルギー面
 この近似においては、核の波動関数Φ(R)は以下
のSchrödinger方程式の解である。
 ここで、MIはI番目の核の質量であり、E(R)はBorn-
Oppenheimerエネルギー面と呼ばれる。
 これは核が位置Rに固定されているときの、電子
系の基底状態エネルギーに対応している。
 より一般的に、電子的な励起状態におけるポテン
シャルエネルギー面も定義でき、電子ーフォノン
相互作用を考えるときに重要である。
電子に対するシュレーディンガー方
程式
 以下の、電子に対するSchrödinger方程式を解き
ながら、ポテンシャルエネルギー面を計算できる。
 ここで、ZIがI番目の核の電荷、eとmはそれぞれ素
電荷と電子の質量であり、αは電子状態に対する
添え字である。
 この方程式は、電子と核の運動が分離できると仮
定し、電子波動関数ψR(r)上の核の動きに対する運動
演算子から来る非断熱項を無視したときの、電子
(と核)の問題を説明する。
多体問題の難しさとDFT
 この近似は、(有効)電子質量と核の質量の比me/M
のオーダーの項が無視できる、ほとんどの実際の物
質について成り立つ。
 しかし、電子問題は量子多体問題であり、系の全波
動関数はすべての電子座標に依存し、さらに、互いの
相互作用のため、単独粒子問題に分離することはで
きない。
 このため、この方程式はまだはるかに複雑であり、実
際に計算機で解くことはできない。
 この困難のため、さらなる開発が、実際の物質の第一
原理計算を実行するのに必要であり、密度汎関数理
論(Density Functional Theory (DFT))がこのフレーム
ワークを提供する。
密度汎関数理論
密度汎関数理論とは
 密度汎関数理論とは、系のすべての電子の座標
に依存する複雑な波動関数の代わりに、1つの空
間変数にしか依存しない基底状態の電子電荷密
度で、系の基底状態の物性について説明が可能
であるとする理論である。
 これは、密度汎関数理論で最も重要な概念であ
る。
Hohenberg-Kohnの定理
 もし相互作用のある電子ガスを考えるならば、粒子に
作用する外部ポテンシャルが、系の基底状態とそれ
に対応する電荷密度を決定する。
 したがって、この状態のすべての物理量は外部ポテ
ンシャルの汎関数である。
 粒子に作用する外部ポテンシャルと系の基底状態密
度は1対1対応である(Hohenberg-Kohnの定理)。
 従って、もし粒子に作用する外部ポテンシャルが求ま
れば、系の基底状態密度が一意的に定まる。
 また逆に、系の基底状態密度が求められれば、粒子
に作用する外部ポテンシャルが一意的に定まる。
 P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. 136, B864 (1964).
変分原理のもとでの最小化
 以下の全エネルギー汎関数(1.4)式に対して電子密度に
関する変分原理が成り立つように、基底状態の電子密度
の一意的でユニバーサルな汎関数F[n(r)]が存在している。
 ここで、 F[n(r)]は電子の運動エネルギーと粒子同士の
Coulomb相互作用を含んでおり、Vext(r)は粒子に働く外部
ポテンシャルである。
 粒子の総数Nが一定という条件(1.5)式の下で(1.4)式を最
小化すると直接、基底状態のエネルギーと電荷密度が得
られる。
 従って、この変分原理は非常に重要である。
Kohn-Shamの補助系
 残念ながら、ユニバーサルな汎関数F[n(r)]は実際には
知られていない。
 KohnとShamは、密度汎関数理論を実際的な理論にす
るべく、元の「相互作用がある」問題を、仮想的な「相
互作用していない」問題に置き換えた(Kohn-Shamの
補助系)。
 こうすれば、「相互作用している」系の汎関数F[n(r)]は、
「相互作用していない」が「相互作用している」系と同
じ密度を持つ電子気体の運動エネルギーと、粒子間
相互作用に伴う追加項の合計として表される((1.6)
式)。
有効Kohn-Shamポテンシャル
 相互作用している電子系について、全エネルギー
汎関数を書くと、
 となる。ここで、有効Kohn-Shamポテンシャルを以
下で定義する。
有効Hamiltonianと電荷密度
 結果として、系に対して有効Hamiltonianを定義で
きる。
 これは相互作用していない電子ガスに対するもの
であるが、電子ガスはもとの系のすべての粒子間
相互作用が含まれている有効ポテンシャルVKSを
感じている。
 その結果、(架空の)一粒子波動関数を使用する
ことで電子系の問題に対処でき、電荷密度は、
 となる。
相互作用していない補助系に対する
運動エネルギー
 ここで、iは一粒子状態に対する添字であり、fiは
Fermi分布である。
 また、相互作用していない補助系に対する運動エ
ネルギーも、以下の(1.12)式で簡単に計算できる。
Kohn-Sham方程式
 Ψi
*に関して、電子数一定という制限の下での相
互作用していないエネルギー汎関数の最小化か
ら、以下のSchrödinger方程式様の(1.13)式(Kohn-
Sham方程式と呼ばれる)を得ることができる。
 ここで、(架空の)波動関数は以下の(1.14)式のよ
うに正規直交関係を満たす。
Kohn-Sham方程式の物理的意味
 Kohn-Sham方程式で現れる(架空の)波動関数は、
直接には、どんな物理的な意味も持っていない。
 それらの波動関数は、一体問題の密度行列の固
有状態であるが、それらは相互作用していない補
助系の電子軌道であるので、実際の系の電子に
対する波動関数であると考えることはできない。
Kohn-Sham方程式の解法
 Kohn-Sham方程式の波動関数は問題の解として
得られるが、波動関数は有効ポテンシャルVKSの
計算に必要な電荷密度を構築する際にも必要な
ので、Kohn-Sham方程式は強く非線形になってい
る。
 従って、この方程式を解くためには、有効ポテン
シャル(あるいは電荷密度)の初期の推測から始
めて、波動関数(電荷密度)と有効ポテンシャル
の両方の量を自己無撞着に発展させていく反復
法を採用しなければならないことを意味する。
基底状態のエネルギー
 Kohn-Sham方程式を解くと、相互作用していない系に対す
る基底状態のエネルギーが以下(1.15)式によって得られ
る。
 ここで、Enucは核-核間のCoulomb相互作用エネルギー項
である。
 右辺第二項のHartree項と右辺第三項の交換相関項は、
自己と相互作用し、同じ項の二重カウントと数え間違いを
起こす。
 自己相互作用は本来、Hartree項と交換相関項で互いに
相殺するはずであるが、近似汎関数を使っているため、
完全に相殺しない(自己相互作用問題)。
LDAとGGA
交換相関汎関数に対する近似
LDAについて
 交換相関エネルギーは非常に複雑な項であり、
まだ完全には明らかにされていない。
 ここからは、DFTを第一原理計算の実用的なツー
ルにするために、Excに対していくつかの仮定を行
う。
 そして、この仮定はいくつかの近似を導入する。
 実際の系に対する交換相関が、同じ密度を持って
いる均質で一様な電子ガスのように、「局所的に」
振る舞うと仮定すると、最も簡単な近似を得ること
ができ、これを局所密度近似(LDA)と呼ぶ。
LDAについて
 その結果、交換相関エネルギーは系の局所密度
だけに依存し、以下(1.18)式のように書ける。
 ここで、εxc
homは、上記の均一系の交換相関エネル
ギー密度である。
 この(1.18)式から、以下の(1.19)式のように交換相
関ポテンシャルが容易に得られる。
 ここで、Fxc= εxc
hom(n)nである。
LDAについて
 この近似は、電子電荷密度が滑らかであると予想さ
れる系(自由電子的である簡単な金属、真性半導体
など)に対する近似であったが、共有結合性の物質や
いくつかの遷移金属のような非均一系に対してもよい
結果を与えた。
 しかし、LDAは通常、実験値と比較して、構造や振動
に関する値でよい一致を示すが、一方で、結合エネ
ルギーを過大評価し、短い結合長を示す。
 LDAの、これらと他の欠点を克服するために、元の近
似のいくつかが拡大され、新しい近似が生まれた。
 このうち、一般化勾配近似(GGA)は、最も良好なも
のの1つである。
GGAについて
 GGAの交換相関エネルギーは、密度と、密度の
局所的な空間的変化の汎関数になっていて、以
下(1.20)式のように書ける。
 GGA汎関数の定式化によって、交換相関エネル
ギー密度の式は異なる。
 また、(1.20)式から、LDAと同じように交換相関ポ
テンシャルが容易に得られる(式は少々複雑にな
るので紹介しない)。
GGAについて
 GGAは一般に、いくつかのLDAの欠陥を改良し、物質
の構造特性をより良く記述する。
 特に、系の結合エネルギーに関して、かなり結果を改
良する。
 また、GGAは非均一系に対してより良く記述している
と予想される。実際、遷移金属のように、LDAが完全
に失敗するいくつかの場合においても、正しい結果を
与える。
 1つの例は鉄の固体であり、実験によると、基底状態
はbccの強磁性(FM)である。
 計算結果は、LDAが基底状態をfccの常磁性と予測す
るのに対し、GGAは基底状態をbccの強磁性と正しく
予測する。
LDAやGGAの限界
 LDAやGGAは、系の非局在化した電子が重要で
あるとき、うまくいくと予想される。
 しかし、多体効果がより重要であると予想される、
局在化電子が重要な物質に対処するとき、十分
正確ではない。
 ここで、LDAやGGAの交換相関エネルギーに、平
均場理論のような形式の近似を導入する。
磁気系の取り扱い
局所スピン密度近似
Kohn-Sham方程式による磁気系の取
り扱い
 もし、交換相関エネルギー汎関数が、二つのスピ
ン占有数に別々に明確に依存していると考えるな
ら、磁気系の取り扱いははるかに簡単になる。
 この場合、2つのスピン分極に対して別々にKohn-
Sham方程式を書くことができる((1.22)式)。
Kohn-Sham方程式による磁気系の取
り扱い
 そして、LDAの場合と同様に、
 が得られる。
 2つのスピンは、Hartreeポテンシャルと交換相関
ポテンシャルを通じてお互いに関係していて、ス
ピンの片方の有効場は、もう片方のスピン電子密
度にも依存する。
局所スピン密度近似(LSDA)
 LDAとLSDAの有効ポテンシャルの式を比較すると、
Coulombポテンシャル部分は全く変わらない。
 アップおよびダウンスピンの差は磁化の起源であ
るが、これは、同じスピンと異なったスピンの間の
相互作用の違いを説明する交換相関ポテンシャ
ルによって取り入れられる。
 通常、このスピン依存の定式化(最も簡単な形は
局所スピン密度近似(LSDA)と呼ばれる)は、交換
と相関の汎関数に別々の式を用いる。
LSDAの交換エネルギー汎関数
 LSDAにおいて、交換汎関数はスピンにおける対
角成分であり、スピン非分極の式を拡張して得ら
れる((1.26)式)。
 ここで、Fx
LDAはスピン分極していない場合に用い
たのと同じ汎関数である。
LSDAの相関エネルギー汎関数
 相関汎関数は、均質の電子ガスに対して、異なっ
たスピン分極の結果を補間して得られ、両方の合
計の電荷密度n(r)と磁化m(r)に依存する。
 磁化m(r)は、
 と書ける。ここで、磁気分極を以下(1.28)式で定義
すると、
 となる。ここで、 である。
LSDAの相関エネルギー汎関数
 結果として、相関エネルギー汎関数は、
 となる。ここで、f(ξ)はf(0) = 0, f(1) = 1となるなめ
らかな補間関数、εc
Pおよびεc
Uはそれぞれ、分極お
よび非分極の系に対する相関エネルギー密度で
ある。
Kohn-Shamポテンシャルへの寄与
 これまでの交換相関汎関数のKohn-Shamポテン
シャルへの寄与は、有効磁場に相当する。
 スピン分極電荷密度に関して、交換相関汎関数
の一次微分を計算することにより、それぞれが二
つのスピン分極に対して等しい第一項と第二項を
得る。
 第一項と第二項は同じ絶対値を持つが、それが
適用されるスピンにより、符号が変化する。
 この第二項は、系の磁気特性からスピンの不釣り
合いを起こすように、2つの有効場の違いを導入
する。
GGAへのスピン分極の拡張
 また、GGAに対しても、スピン分極している場合
には同様な拡張が可能である。
 しかし通常、相関汎関数は磁気分極の勾配を含
んでおらず、汎関数は最終的に以下(1.30)式と
(1.31)式となる。
 ここで、FxとFcはLDAの場合に定義された量と同様
の量であるが、勾配にも依存している。
周期系とBlochの定理
周期系
 第一原理計算における(固体の)物質の記述は平
衡位置でそれらを構成する原子が静止していると
いう仮定に基づいている。
 これらは無限に周期的に繰り返された構造を形成
する。
 Vを電子に関する外部ポテンシャルとすると、
 となる。ここで、Rは実空間格子ベクトルであり、3
つの基本ベクトルの整数一次結合に対応している
(これは3つの独立している方向への格子の周期
性を決定する)。
Blochの定理
 また、全体の電子Hamiltonianと周期系を説明するす
べての物理量が、並進不変性を有する。
 このことから、一粒子電子波動関数で電子状態を表
せるとするBloch定理が使用でき、
 となる。ここで、kが電子の結晶運動量(これは実際に
波動関数の並進不変性を説明する)であり、vが同じ
k-ベクトルに対応する状態を分類する添字(バンドイ
ンデックス)であり、ukv(r)が結晶の同じ周期性に対す
る関数であり、以下(1.34)式の関係を満たす。
周期系のHamiltonian
 系の並進対称性のため、異なったk点を独立に扱
うことができる。
 事実、Hamiltonianは、格子点を通じて並進を生成
する演算子と交換する。
 このHamiltonianは、(1.33)式で与えられた形の波
動関数に対応する演算子(kで分類される)の固
有ベクトルの基底セットにおけるブロック対角成分
である。
 この論文では、同じkブロックに属するHamiltonian
の固有値にバンドの添字vをつける。
逆格子ベクトル
 kベクトルは、周期構造を持っている逆格子空間
のいわゆる第一Brillouinゾーンの中で定義され、
逆格子空間の基本格子ベクトルbiは、実空間の基
本格子ベクトルuiと以下(1.35)式のように関連して
いる。
 和は電子状態(とそれによって決まる物理量)を
支配していて、例えば、Ebandとn(r)は、Brillouinゾー
ン上の積分に対応する。
IBZ
 結晶の対称性を利用して、Brillouinゾーンのより小さ
い領域(IBZ)に積分を閉じ込めることができる。
 IBZにおいて、小さいセットのk-ベクトルを用いて逆格
子空間積分を実行することを許容する、スペシャルポ
イント積分テクニックの使用で、この結果をさらに改良
できる。
 MonkhorstとPackのテクニックによって、このポイントを
選ぶことができ、それらのポイントの数を増加させた
ときの物性の収束特性によって(近似的にではある
が)精度をチェックできる。
 A. Baldereschi, Phys. Rev. B 7, 5212 (1973); D. J. Chadi, M. L. Cohen, Phys. Rev. B 8, 5747 (1973); H.
J. Monkhorst, J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976); 16,1748 (1977).
逆格子空間の積分
 例えば、電荷密度のための逆格子空間の積分は、ベ
クトルの離散的集合の和として表される。
 ここで、ωkはスペシャルポイントのテクニックにおける
k-点の重みである。
 また、電荷密度は、対称化の手順に従うと、
 となる。ここで、NSは結晶の空間群における対称操作
Sの数であり、fは対称操作の並進部分ベクトルである。
「スペシャルポイント」のテクニックの
問題点
 スペシャルポイントのテクニックは、半導体か絶
縁体の記述で非常に効率的であるが、直接、金
属に適用すると、あまりよくない結果をもたらす。
 これは、いくつかの電子状態が交差する、Fermi準
位の周りの領域が、正確に抽出される必要があっ
て、より多くのベクトルが一般に必要であるからで
ある。
k-点格子の問題と解決策
 もし使われたk-点格子が十分でなければ、Fermiエネ
ルギーにおける小さいシフトさえ、逆空間和( (1.36)
式のような)で、有限数の電子状態を含んだり除いた
りするかもしれないので、自己無撞着の間、不安定性
の問題があるかもしれない。
 これは、対応する量において、かなりの変動を起こす。
 体積要素の対称性の破れにBZを分解し、そして、線
形補間によって隣接しているk-点の間のエネルギー
帯を接続する4面体方法を使用することで、この問題
に対する解決策を達成できる。
金属に対する別のアプローチ
 この論文では、金属に対して、別のアプローチを
採用する。
 このアプローチは、Fermi準位の周りで電子状態の
重みを整えて、計算された量に大きな変動を避け
るFermi分布の有限smearingを導入している(有限
効果温度を考えることに対応している)。
 この論文では、MethfesselとPaxtonのsmearingテク
ニックを使用しており、広がり関数として、Gauss関
数と多項式の組み合わせを採用している。
 M. Methfessel and A. T. Paxton, Phys. Rev. B 40, 3616 (1989).
smearingテクニック
 この近似は、金属に対してかなりうまくいき(ただ
し、通常半導体より多くのk-点が必要である)、ま
た有限smearingにおける逆格子空間の積分の精
度を、IBZ空間内で特別なk-ベクトルの数を増やし
たときと、広がり幅σを狭くしたときの、収束特性に
よってチェックできる。
 smearingのテクニックによる主な欠点は、σの選択
に基底状態全エネルギーが依存することである。
 MethfesselとPaxtonの方法は、正確なたたみ込み
関数を選ぶことによって、この依存をかなり減少さ
せる。
平面波擬ポテンシャル法
平面波基底
 実際の計算でKS方程式を解くためには、オリジナ
ルの微分積分問題を、より扱いやすい代数的な
問題に変える必要がある。
 電子波動関数を基底関数で展開して、
Hamiltonianにおけるすべての演算子で基底セット
による表現を用いることで、これを達成できる。
 この論文で用いるのは、実空間から逆格子空間
に移動するのに、高速フーリエ変換(FFT)のような
効率的なアルゴリズムの利点を活用する平面波
(PW)基底セットである。
平面波基底での波動関数
 その結果、(1.33)式のBloch電子波動関数を以下
の(1.38)式で表すことができる。
 ここで、Ωはユニットセルの体積、Gは逆格子ベク
トルであり、cv(k+G)係数は以下の(1.39)式によっ
て正規化される。
平面波基底によるKS方程式
 平面波基底を使用すると、逆格子空間における
KS方程式は以下(1.40)式のように書ける。
 kベクトルに関して、Hamiltonianがブロック対角形
式を有することが、この表現によって明白であり、
その結果、それぞれ別々にこれらのブロックの中
で対角化が実行できる。
平面波基底によるKS方程式
 電荷密度を得るためには、各k-点に関して、系の
すべての電子を収容できる最も低いエネルギー
の電子状態の数(これは有限の数である)のみが
必要である(系の基底状態の物性を研究している
ため) 。
 この量は、Kohn-Sham方程式における、反復対角
化ステップのポテンシャルの再生成において、新
たな推測量を構成する時に使用されている。
エネルギーカットオフ
 平面波基底は無限の数のG-ベクトルを使用したと
きの極限において正確である。
 実際の計算では、有限数の平面波しか使用でき
ないので、通常、平面波は、最大の運動エネル
ギーEcut(エネルギーカットオフ)の球に含まれたも
のを選ぶ((1.41)式)。
 (1.41)式の条件の下でKS方程式を解いた際の精
度は、エネルギーカットオフの値を増加させ、その
都度、興味がある物性を調べることによって、
チェックする必要がある。
平面波基底の利点
 平面波基底を使用する大きな利点は、主に、理
論的にはEcutのみが系の記述の精度を制御する唯
一のパラメータであるという事実からである。
 これは、Ecutが固定されると、最大で よ
り大きい距離を介して行われる系の波動関数の
変化が、よく記述できることを意味している。
擬ポテンシャル(PP)
 イオンコアとその電子状態(その周りでは部分的に局
在化されている)を記述するためには、多くのGベクト
ルが必要であるが、平面波基底は、残念なことに空
間の各領域で同じものを使用する。
 この困難を解決するための一つの可能な方法が擬ポ
テンシャル(PP)のテクニックである。
 イオンコア(内側の電子雲によって修飾された核)は
それらの原子構成で「凍結している」とみなすことがで
きる。
 これは、結合と化学反応性に関する限り、系の最も意
味がある物性は、価電子だけによってもたらされると
いう仮定に基づいている。
擬ポテンシャル(PP)
 この結果、価電子は不活性なイオンコアによって
もたらされた有効な外場で運動する。
 そして、計算には陽に殻の状態を含んでないにも
かかわらず、擬ポテンシャルは最も外部の(価電
子)状態における真の原子ポテンシャルの相互作
用を再生させようとする。
擬ポテンシャルの作成法
 擬ポテンシャルを作成するために様々な方法が
存在しているが、概念は共通している。
 孤立した原子に対して、完全なポテンシャル計算
をいったん実行すれば、電子状態は「内部状態」
と「価電子状態」という2つのカテゴリに分割できる。
 そして、内部状態の電子は基底状態の原子の電
子状態で「凍った」ままとして残し、外部の価電子
についてのみ、擬ポテンシャルが作成される。
ノルム保存条件とトランスフェラビリ
ティー
 この擬ポテンシャルは、固定されたコア半径の外
側で完全な全電子ポテンシャルと一致するように、
また、コア半径の内側では、滑らかかつノードレス
であり、コア領域内の全価電子電荷が保存される
(ノルム保存条件)ように作成する。
 コア半径と擬波動関数の形の両方を考え、擬ポテ
ンシャルを作成する。
 このとき、異なった化学的環境下においても良い
可搬性(トランスフェラビリティー)を与えるために、
できるだけ広いエネルギー領域において、参照し
た原子配置の本当の価電子状態の散乱特性を再
現するようにする。
局所部分と非局所部分
 擬波動関数の滑らかさにより、妥当な数の平面波
で計算が実行できる。
 しかし、いくつかの角運動量の全電子(AE)波動関
数の散乱特性を再現するために、局所部分(コア
半径の外側で真の全ポテンシャルと一致する)と
非局所部分(コア半径の外側で消える)が必要で
ある。
セミローカル型
 非局所な部分の寄与に対して、角座標上で非局
所形となるように作られた「セミローカル型」な式
が、以下(1.42)式で与えられる。
 ここで、Plはl番目の角運動量部分空間への射影
演算子である。
KleinmanとBylanderの分離形
 しかし、平面波計算をより効率的にするように、
KleinmanとBylander (KB)は(1.42)式のセミローカル
な表現を完全に分離できる式を提案した((1.43)
式)。
 ここで、波動関数|i>は、参照原子擬波動関数上
の元のセミローカルな部分の作用を再現するKB
ポテンシャルの(変更された)原子疑状態である。
 L. Kleinman, D. M. Bylander, Phys. Rev. Lett. 48, 1425 (1982).
Vanderbiltの一般化と改良
 コア半径内の擬波動関数の説明に必要な計算負荷
を減少させ、また擬ポテンシャルの可搬性を増加させ
るための方法を発見したVanderbiltは、この方法の完
全な一般化と改良を導入した。
 固体内で占有された状態に対応するエネルギー領域
は、複数の射影でサンプリングされる。
 従って、(1.43)式における添字iは、一つの原子の参照
状態の上でカウントするのではない。
 実際、それぞれの角運動量成分に対して、通常2個
のエネルギー値のセットがイオンの正しい散乱性質
を再現するのに使用される。
 D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990).
 K. Laasonen, A. Pasquarello, R. Car, C. Lee and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 47,10142 (1993).
Vanderbiltの一般化と改良
 これは、(1.43)式の非局所部分の一般化を必要と
し、以下(1.44)式となる。
 ここで、|βi>は「選ばれた」エネルギーεiに対応す
る擬波動関数から構築される、コア半径内で局所
化した局所擬ポテンシャルである(この擬波動関
数と擬ポテンシャルはそのサイト上の選ばれたコ
ア半径の外では消える)。
 また、Bijはエルミート演算子であり、 |βi>と同じ量
を使用することで構築される。
ウルトラソフト擬ポテンシャル
 これは、擬ポテンシャルの可搬性を向上する。
 これだけでも非常に有用な改良であるが、さらに、
ウルトラソフト(US)擬ポテンシャルと呼ばれる方
法は、計算負荷の重要な減少をもたらす。
 これは、ノルム保存条件の緩和と、コア半径内で
擬波動関数をできるだけ滑らかにすることからも
たらされる。
一般化オーバーラップ演算子
 これは、以下(1.45)式の「一般化オーバーラップ演
算子」を導入することで可能となる。
 ここでSは、一般化された正規直交条件
 を満たす。また、(1.45)式のqi,jは、付加された電荷
密度の積分
 である。
一般化オーバーラップ演算子
 ここで、(1.48)式の波動関数は、結晶の電子波動
関数を構築するために使用される、原子に対する
波動関数であり、それぞれ、全電子および擬波動
関数を示している。
電荷密度式の補強部分を加える
 オーバーラップ(演算子)のこの一般化のため、電
荷密度にはイオンコア上の補強部分を加えなけ
ればならない((1.49)式)。
 (1.49)式の添字Iは、付加電荷Qi,j
Iと関数βが加えら
れた、位置RIの異なったイオンを数える。
ポテンシャルの式の修正
 n(r)のこの修正によって、KS方程式のポテンシャ
ルの式も修正される。
 修正されたポテンシャルの式は、
 となる。ここで、係数Dij
Iionは、
 である。
最終的なKS方程式
 KS方程式(一般化された正規直交条件(1.46)式を
満たす)は、原子単位系で最終的に以下(1.52)式
となる。
 ここで、
 である。
擬ポテンシャルの更新
 最終的な式によって明白なように、擬ポテンシャ
ルは、各繰り返しのときに更新する必要がある。こ
れは有効ポテンシャルVeffが電子電荷密度によっ
て作られるからである。
 そしてこれは、可搬性をさらに増加させるように、
擬ポテンシャルのスクリーニングのプロセスに関
与する。
ウルトラソフト擬ポテンシャルの代償
 ウルトラソフト擬ポテンシャルによる利点を得るの
に必要な代償は、毎回係数Dij
Iを更新する必要が
あることに加えて、電荷密度の増強の寄与を説明
するのに、非常に大きいカットオフエネルギーが
必要なことである。
 しかしながら、この項はn(r)の計算のみで重要であ
り、より小さい波動関数エネルギーカットオフで次
元を固定している対角化問題には、この項は入ら
ない。
非線形内殻補正
電子電荷密度の分離
 平面波擬ポテンシャル法は、電子電荷密度を、価
電子項nv(r)と「凍った」内殻の寄与nc(r)に分離でき
るという仮定に基づいている。
 平面波擬ポテンシャル法において、固体のオリジ
ナルの形式のHartreeポテンシャルと交換相関ポ
テンシャルは、 nv(r)だけを使用することで計算さ
れる。
Hatree項、交換相関項、その他の項
 Hartreeポテンシャルに対しては、電荷密度におい
て線形であり、これは近似ではない。
 また、他の項からも、内殻項からくる寄与は容易
に分離できる(そして、擬ポテンシャルの局所項
においては含まれている)。
 問題は密度において線形でない交換相関ポテン
シャルに存在している。
交換相関項の分離
 その結果、交換相関エネルギー密度を以下(1.54)
式のように分離すると、
 これは、電荷密度への価電子と内殻の寄与が、
互いにかなり重なるとき、重大な系統誤差に至る。
 この問題によって、系が内殻領域に強く浸透した
価電子を有するとき(通常、これは遷移金属のd
バンドや希土類化合物のf状態のように非常に局
所化された外部状態である)、影響を受けるかも
しれない。
交換相関項の分離
 厳密な解法は、価電子多様性における、価電子
状態との強い重なりがある内殻状態を含むことで
あろう。
 しかし、これは計算資源の観点から非常に高価に
なり、また波動関数を格納するためのより大きい
スペースを必要とする。
非線形内殻補正(NLCC)
 交換相関エネルギーとポテンシャルを計算すると
き、非線形内殻補正(NLCC)は、電荷密度に内殻
の寄与を含むことの困難を、ある程度解決する。
 その結果、交換相関エネルギーは以下(1.55)式の
ようになる。
 ここで、内殻の寄与は「凍った」原子配置において
固定されているとする(繰り返しの間はこれを更新
しない)。
磁性結晶と非線形内殻補正
 磁性結晶を扱うときは特に、非線形内殻補正を導
入する必要性が明白になる。
 磁気分極ξは(1.28)式から、(スピン非分極の)内
殻の寄与を含まない電荷密度を用いると導かれ、
 となる。
 しかし、これは誤って、系が有限磁化を獲得する
傾向を高めてしまい、ξをかなり過大評価する。

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A lda+u study of selected iron compounds 第一章